金氧半場效電晶體（MOSFET）

MOSFET 是金屬-氧化物-半導體場效電晶體（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）的縮寫，這個名字本身就是元件的一張小小剖面圖。一層薄薄的絕緣氧化層（玻璃）疊在矽上面，一片金屬（或多晶矽）閘極再疊在氧化層上面。因此閘極被絕緣體和矽隔開，就像一顆電容的一片極板懸浮在表面之上。把閘極電壓推得夠高，電場就穿過氧化層，把一條薄薄的導電通道吸引到下方的矽中，連通源極與汲極。

一顆 MOSFET 有四個部分：閘極（gate，控制端，類似 BJT 的基極）、源極（source）與汲極（drain，通道的兩端，電流的進出口），以及基體或基板（body／substrate，底下那塊矽，常常接到源極）。由於閘極是一片絕緣的極板，沒有穩定電流流進去：源極與汲極之間的通道完全由閘源電壓（Vgs）控制。低於某個臨界電壓（threshold voltage）時沒有通道、元件關閉；高於它時通道形成、元件導通。

MOSFET 是現代電子學的主力。當開關用時，它能以極小的損耗把負載開開關關；同一種元件縮小到每顆晶片上數十億個，就構成你手機與筆電裡的每一道邏輯閘。最重要的實務警告是：閘極氧化層薄到微觀尺度，你手指上的一下靜電放電（ESD）就可能把它打穿一個洞，悄悄地報廢這顆元件。拿取 MOSFET 要小心、要接地。