半導體

耗盡區

/ dih-PLEE-shun REE-jun /

設想兩個街區,一個滿是游蕩的電子,一個滿是空座位。就在它們的交界處,電子溜過去坐進最近的空座位,直到沿邊界的那一條帶子裡既沒有游蕩者、也沒有空座位——只剩一片安靜、被掃得乾乾淨淨的無人地帶。這條清空的帶子,就是耗盡區。

更確切地說,耗盡區是 p-n 接面處那一層被移除了可移動載流子的薄層。在靠近邊界的 n 側,施體原子已交出電子,留下固定的正離子;在 p 側,受體原子接住了多餘的電子,留下固定的負離子。這些暴露出來、無法移動的電荷,在這一層上建立起一個內建電場——強到足以阻止更多載流子穿越,這正是該區域始終保持耗盡狀態的原因。

接面的特殊行為其實就棲身在耗盡區裡:它的寬度會隨所加電壓而變化,當你順著容易的方向推電流時它變窄,反過來加電壓時它變寬——這恰恰就是二極體阻斷電流、晶體管進行開關的機理。一個微妙之處:這一區域並非真的沒有原子,晶格依然完整。缺的是可移動的載流子;剩下的只有固定的、已電離的原子來維持那個電場。

在一只典型的矽二極體裡,耗盡區只有約百萬分之一米寬,然而整個接面的內建電壓全都集中在這薄薄一片上。加反向電壓會把它拉寬;正是這種拉寬,被變容二極體用來充當可調電容。

耗盡區雖薄,卻承載著接面的全部內建電場。

耗盡區也叫空間電荷區,因為它是接面中唯一帶有淨電荷的地方——電荷來自暴露出來的固定離子——儘管兩側的材料都是中性的。

又稱
depletion layerspace-charge region耗尽层